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CRF電暈等離子處理機歷史發展進程：
等離子體于1879年被發現，1928年被稱為“plasma”，是一個微觀系統，由大量相互作用但仍然處于非束縛狀態的帶電粒子組成，它們是除氣態、液態和固態以外的物質第四態。利用電子溫度和離子溫度可以分別表示等離子體溫度，CRF電暈等離子處理機的電離率較低，離子溫度甚至可以與室溫相相差無幾，因此，日常生活中有很多場景可以運用低溫等離子體技術。在CRF電暈等離子處理機發生的過程中也可以產生大量的活性粒子，這些粒子比一般化學反應產生的反應種類更多，活性更強，與材料表面接觸時反應更簡單。與傳統式的物理和化學方式相較，等離子體表面處理低成本，不容易產生廢料，對環境無污染，因此低溫等離子體材料的表面改性處理非常合適，此外，電暈等離子處理機還可用于制備有機和無機納米顆粒，用于殺菌等領域。
CRF電暈等離子處理機的產生，能夠通過紫外輻射、電磁場激發、高溫加熱以及應用X射線等方式，其間，電磁場激發方式，也就是技術較為簡單的操縱氣體釋放方式，在實驗室研究和工業生產中使用得多。弧光放電是各種氣體放電產生的等離子體中的一種；電暈放電產生的低溫等離子體中難以產生足量的活性粒子；直流輝光放電需要低壓環境，因此需要使用價格昂貴的真空系統，從而難以實現連續生產；低頻交流放電等離子體的電極暴露在外，只對簡單污染產生的等離子體進行污染，因此這些氣體放電方式都不適合用于大型流水線工業。
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