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CRF等離子蝕刻機ICP蝕刻技術應用廣泛SiC刻蝕應用：
反應燒結碳化硅(RB-SiC)是一種新型陶瓷材料，其具有性能好、比剛度高、導熱性大、膨脹系數小的特點.隨著光學技術的快速發展，光學系統正朝著大口徑、低損耗和輕量化的方向發展，光學元件具有高分辨率、廣闊的視野和高質量的表面形態RB-SiC因其優越的性能，材料獲得了廣泛應用，這會對材料表面的光學質量提出了更高的要求。目前，加工工藝目前正在加工SiC有許多方法，主要包含電化學腐蝕、機械加工、超聲波加工、激光蝕刻和等離子體干燥蝕刻。等離子體蝕刻機的干蝕技術主要包含反應離子蝕刻(RIE)，電子回旋共振(ECR)感應耦合等離子體(ICP)等。ICP蝕刻設備具有選擇性和各向異性結構，操作簡單，控制方便，因此，ICP蝕刻技術應用廣泛SiC蝕刻應用。
CRF等離子蝕刻機ICP主要采用蝕刻技術SiC半導體器件和微機電系統(MEMS)器件的加工制作，等離子蝕刻機刻蝕表面質量，提升SiC微波功率器件的性能質量。ICP蝕刻技術完整的蝕刻過程可分為三個步驟：①吸附蝕刻材料；②形成揮發物；③解吸附。它包括兩個過程：化學和物理：在化學過程中，蝕刻氣體通過電感耦合產生活性基、亞穩態粒子和電子，中性粒子擴散到基底表面，與蝕刻材料表面的原子發生化學反應，產生揮發性物質。這些副產品被真空系統從腔室中提取，以實現氣體化學蝕刻。
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